單片式磷酸蝕刻設備
在半導體wafer的制造工藝中，對SiN膜的高精度的Etching。同時在此工藝后的生成物和Particle的cleaning機臺。
特長
- 高選擇比Etching
通過對H3PO4中的Silca濃度的檢測和控制，達到高選擇比Etching的可能。 - Wafer表面均一性的控制
通過對每個Zone的溫度控制，達到wafer表面的Etching Profile的控制的可能 - 高潔凈度的清洗性能
采用芝浦獨立開發(fā)的物理清洗tool，達到高潔凈度的處理 - 低COO
H3PO4采用可回收方式，可消減藥液的Cost
關(guān)于產(chǎn)品的咨詢