光蝕刻設(shè)備
下個(gè)世代先端process開發(fā)用，能形成微細(xì)的pattern，在PhotoMask制造中用的Etching設(shè)備。
特長(zhǎng)
- NIL?EUVMask?光Mask、等各個(gè)種類都可對(duì)應(yīng)
- 最大可搭載4個(gè)Chamber，可靈活的對(duì)應(yīng)各種制造工藝
- 采用獨(dú)立的Plasma源，可達(dá)到最高端Mask所需要的的CDU性能
- 能提供減少10nm大小的defect的技術(shù)提案。
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