半導(dǎo)體用濺鍍?cè)O(shè)備
（SWN-5000）
功率設(shè)備等里面電極形成和UBM，多層膜形成最適合的裝置。
特長
- 晶片尺寸∶200(mm)
- 薄晶片對(duì)應(yīng)∶t100(μm)左右
- 工藝腔體數(shù)∶最大5腔室(10GUN)
- 晶片溫度控制(ESC)
- 省空間∶W2800×D3600×H2500(mm)
- 加熱，逆濺射對(duì)應(yīng)
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半導(dǎo)體用濺鍍?cè)O(shè)備
Sputtering Equipment for Semiconductors