化學(xué)干式蝕刻設(shè)備
半導(dǎo)體wafer表面形成的各種Film的Etching均可以實(shí)現(xiàn)。Etching部和Plasma發(fā)生部完全分離的模式，有效的去除基礎(chǔ)加工后的damage層。
特長(zhǎng)
- 利用微波的等向性Chemical Etching
- Plasma Damage Free Etching
- ESC Chuck系統(tǒng)，wafer 溫度可控
- 3~8Inch wafer都可對(duì)應(yīng)
- 采用double finger的Robot搬送
設(shè)備式樣
| ETCing 方式 | 利用微波的等向性Chemical Etching |
|---|---|
| 可Etching的Film | Poly-Si, Si3N4BPSG, W, Mo, Ta etc |
| Wafer Size | φ8"(可選擇φ6", φ5", φ3") |
| Etching Chamber | 單片式 |
| 排氣PUMP | Dry PUMP |
| 壓力控制 | APC控制 |
| EtchingGAS | CF4 ,O2 ,N2 etc |
| Plasma電源 | 微波 2. 45GHz 1. 0kw |
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