離子化學(xué)蝕刻設(shè)備
wafer表面的Film或Resist的Etching/Ashing設(shè)備
特長
- 高密度，低能量的Plasma，可達(dá)到高速，低Charge damage的Etching
低壓力的Plasma源 - 雙Chamber可達(dá)到160WPH的高生產(chǎn)性能
- 多功能（串并聯(lián)結(jié)構(gòu)）
- 300mm wafer可對(duì)應(yīng)
設(shè)備式樣
| 運(yùn)用 | Resist strip (Low-k, Organic Low-k, HDIS, Post Via etch) |
|---|---|
| Wafer Size | 300mm(200mm) |
| 処理方法 | ＩＣＰ ＋ RF Bias source |
| Process Chamber | 2Chambers |
| 電源 | Source： RF 13.56MHz 5kW Bias:RF 13.56MHz 1kW |
| 搬送系統(tǒng) | 芝浦自制Robot |
| wafer控制溫度 | 5～70℃ |
| 壓力控制 | （APC） ×2 |
| 真空Pump | Turbo分子Pump ×2 DryPump ×3 |
Process 式樣
| Process Gas | O2 ,N2 ,CF4 ,H2 ,NH3 |
|---|---|
| Etching Rate | Resist 2.5μm/min(25℃) |
| Uniformity | ≦±5% |
| Metal contamination | ≦5×1010 Atoms/cm2 |
| Paticles | 20個(gè)以下（≧0.2μm） |
| Throughput | ≦160枚/h |
| Tact time | ≦20秒/枚 |
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