半導體用
スパッタリング裝置
（SWN-5000）
パワーデバイスなどの裏面電極形成やUBM、多層膜形成に最適な裝置です。
特長
- ウェーハサイズ：200（mm）
- 薄ウェーハ対応：t100（μm）程度
- プロセスチャンバ數：最大5チャンバ（10GUN）
- ウェーハ溫度コントロール（ESC）
- 省スペース：W2800×D3600×H2500（mm）
- 加熱、逆スパッタ対応
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半導體用スパッタリング裝置
半導體用
スパッタリング裝置
（SWN-5000）
パワーデバイスなどの裏面電極形成やUBM、多層膜形成に最適な裝置です。
特長
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